г. Минск
Интернет-магазин
цифровой и бытовой техники
Корзина
0 руб.

SSD Samsung 990 Pro с радиатором 4TB MZ-V9P4T0GW

SSD Samsung 990 Pro с радиатором 4TB MZ-V9P4T0GW
(0)
Код товара: 11391307
Наличие: много
3 006 руб. / шт.
До конца акции осталось:
00дн.
00час.
00мин.
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, совместимость с PS5
Полное описание
Гарантия 12 мес.
Подарок при покупке
Дарим подарок при покупке данного товара
Выбрать подарок
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 4TB MZ-V9P4T0GW
SSD Samsung 990 Pro с радиатором 4TB MZ-V9P4T0GW
(0)
Наличие: много
3 006 руб. / шт.

❗️Текст описания составлен при помощи искусственного интеллекта.

✅ Энергопотребление SSD Samsung 990 Pro с радиатором составляет 5.4 Вт при чтении и записи, а в режиме Burst достигает 7.8 Вт. Это делает его отличным выбором для высокопроизводительных задач, где важна эффективность.

✅ Используемые в этом SSD микросхемы 3D TLC NAND обеспечивают надежность и долговечность, что особенно важно для хранения данных. С ресурсом записи в 600 TBW, вы можете быть уверены в его долговечности.

✅ Скорость последовательного чтения достигает впечатляющих 7 450 Мбайт/с, а скорость записи — 6 900 Мбайт/с. Это позволяет значительно ускорить загрузку приложений и игр, а также повысить общую производительность системы.

✅ Форм-фактор M.2 2280 делает установку SSD простой и удобной, а его совместимость с PS5 открывает новые горизонты для геймеров, желающих улучшить свои игровые возможности.

⚠️ Не забывайте о том, что наличие радиатора помогает поддерживать оптимальную температуру работы SSD, что особенно важно при длительных нагрузках.

✅ Средняя скорость случайного чтения составляет 1 600 000 IOps, а записи — 1 550 000 IOps, что делает этот SSD идеальным для работы с большими объемами данных и многозадачности.

✅ Аппаратное шифрование AES 256bit обеспечивает дополнительный уровень безопасности для ваших данных, что делает Samsung 990 Pro не только быстрым, но и надежным решением для хранения информации.


Дата выхода на рынок 2023 г.
Основные
Объём 4 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 2400 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 1024 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 450 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 1 600 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 5.4 Вт  (режим Burst 7.8 Вт )
Энергопотребление (ожидание) 0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 8.2 мм
Охлаждение
Тип охлаждения радиатор
Подсветка
Совместимость с PS5
Комплектация
Тип поставки RTL (в коробке)
Гарантия 12 мес.
Персональные рекомендации